作品名稱:固體廢棄物微硅粉合成導(dǎo)電復(fù)合材料的應(yīng)用研究

作品大類(lèi):自然科學(xué)類(lèi)學(xué)術(shù)論文

作品來(lái)源:第十二屆“挑戰(zhàn)杯”省賽作品

作品簡(jiǎn)介： 該作品涉及的主要原料之一的微硅粉是固體廢棄物，利用其特殊的理化性能，在其顆粒表面包覆導(dǎo)電高分子聚吡咯，合成了具有良好導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)搭接結(jié)構(gòu)聚吡咯/微硅粉導(dǎo)電復(fù)合材料，這為固體廢棄物資源化及導(dǎo)電復(fù)合材料研究領(lǐng)域中提供了有意義的研究實(shí)例，此研究思路尚未見(jiàn)報(bào)道，具有一定的實(shí)際應(yīng)用價(jià)值和現(xiàn)實(shí)意義。

作品名稱:新型錫酸鹽光存儲(chǔ)材料的研制及其信息存儲(chǔ)概念模型的制作

作品大類(lèi):自然科學(xué)類(lèi)學(xué)術(shù)論文

作品來(lái)源:第十二屆“挑戰(zhàn)杯”作品

作品簡(jiǎn)介： 針對(duì)光存儲(chǔ)技術(shù)在材料方面的關(guān)鍵問(wèn)題，以堿土錫酸鹽為研究對(duì)象，通過(guò)實(shí)驗(yàn)篩選，得到了兩種具有優(yōu)秀光存儲(chǔ)特性和實(shí)際應(yīng)用潛力的新型光存儲(chǔ)材料：Mg2SnO4和Sr2SnO4:Tb3+,Li+。Mg2SnO4具有較強(qiáng)的長(zhǎng)余輝和光存儲(chǔ)現(xiàn)象。而Sr2SnO4:Tb3+,Li+由于余輝很弱，具有更好的光存儲(chǔ)性能，并利用該材料制作了光存儲(chǔ)概念模型。結(jié)果表明：光存儲(chǔ)技術(shù)應(yīng)用關(guān)鍵在于材料的永久存儲(chǔ)的和激光器的超細(xì)精度。