基本信息
- 項目名稱:
- 多晶硅薄膜的制備方法的研究
- 小類:
- 能源化工
- 大類:
- 自然科學類學術(shù)論文
- 簡介:
- 目前晶體硅薄膜電池的晶粒大小從納晶直到毫米級,光伏界將它們統(tǒng)稱為多晶硅薄膜太陽能電池。多晶硅薄膜電池的研究日益受到人們的重視,未來將成為太陽能電池的主要競爭者。在研究怎樣把硅片切薄的同時,人們加大了對多晶硅薄膜電池的研究。
- 詳細介紹:
- 本文介紹了太陽能多晶硅薄膜的主要制備方法。制備多晶硅薄膜的方法有很多種。主要有化學氣相沉積法、固相晶化非晶硅薄膜法(SPC)、金屬誘導晶化非晶硅薄膜(MIC)。其中化學氣相沉積法(CVD)是制備多晶硅薄膜最廣泛使用的方法。它們具有各自不同的制備原理、晶化機理、及其優(yōu)缺點。
作品專業(yè)信息
撰寫目的和基本思路
- 主要有化學氣相沉積法、固相晶化非晶硅薄膜法(SPC)、金屬誘導晶化非晶硅薄膜(MIC)。其中化學氣相沉積法(CVD)是制備多晶硅薄膜最廣泛使用的方法。它們具有各自不同的制備原理、晶化機理、及其優(yōu)缺點。
科學性、先進性及獨特之處
- 多晶硅薄膜太陽電池兼有晶體硅太陽電池技術(shù)和薄膜太陽電池技術(shù)的優(yōu)點:性能穩(wěn)定,不存在效率衰退的問題;可在不同材料、形狀、大小的襯底上沉積,可大幅度節(jié)省硅材料的用量,具有高轉(zhuǎn)化效率潛力;可大面積制備,便于大規(guī)模連續(xù)化生產(chǎn),具有更高的產(chǎn)率;具有大幅度降低太陽電池制造成本的潛力;此外,薄膜的制備過程基本不對生態(tài)環(huán)境造成危害,較為“綠色”。
應用價值和現(xiàn)實意義
- 在研究多晶硅薄膜的制備方法的同時,能夠更好的制造高質(zhì)量、高性能的多晶硅。在不久的將來,作為“太陽能的心臟”的多晶硅將全面上市,受到人們的廣泛關注,也將使大幅度節(jié)省制造成本和保護生態(tài)環(huán)境上一個更高的層次。
學術(shù)論文摘要
- 目前晶體硅薄膜電池的晶粒大小從納晶直到毫米級,光伏界將它們統(tǒng)稱為多晶硅薄膜太陽能電池。多晶硅薄膜電池的研究日益受到人們的重視,未來將成為太陽能電池的主要競爭者。在研究怎樣把硅片切薄的同時,人們加大了對多晶硅薄膜電池的研究。 本文介紹了太陽能多晶硅薄膜的主要制備方法。制備多晶硅薄膜的方法有很多種。主要有化學氣相沉積法、固相晶化非晶硅薄膜法(SPC)、金屬誘導晶化非晶硅薄膜(MIC)。其中化學氣相沉積法(CVD)是制備多晶硅薄膜最廣泛使用的方法。它們具有各自不同的制備原理、晶化機理、及其優(yōu)缺點。 多晶硅薄膜太陽電池兼有晶體硅太陽電池技術(shù)和薄膜太陽電池技術(shù)的優(yōu)點:性能穩(wěn)定,不存在效率衰退的問題;可在不同材料、形狀、大小的襯底上沉積,可大幅度節(jié)省硅材料的用量,具有高轉(zhuǎn)化效率潛力;可大面積制備,便于大規(guī)模連續(xù)化生產(chǎn),具有更高的產(chǎn)率;具有大幅度降低太陽電池制造成本的潛力;此外,薄膜的制備過程基本不對生態(tài)環(huán)境造成危害,較為“綠色”。
獲獎情況
- 無
鑒定結(jié)果
- 無
參考文獻
- [1]王陽元,等1 多晶硅薄膜及其在集成電路中的應用(第二版) [M] . 北京:科學出版社,2001 ,2~4. [2]吳萍,等. a2Si :H 薄膜固相晶化法制備大晶粒多晶硅薄膜[J ] . 汕頭大學學報,1999 ,14(1) :19. [3] 曾祥斌。多晶硅薄膜的新型激光晶化制備方法[J]電子元件與材料,2000,01:7~8 [4] 邱法斌等。準分子激光燒結(jié)玻璃襯底上多晶硅薄膜材料的制備[J]。液晶與顯示,2001,03:170~174 [5] 劉豐珍。等離子體-熱絲CVD技術(shù)制備多晶硅薄膜[J]。半導體學報,2003,05:499~503 [6] 邱春文等。PECVD法低溫沉積多晶硅薄膜的研究[J]。液晶與顯示,2003,03:201~204 [7] Giust G.K, Sigmon T.W. Laser-processed thin-film transistors fabricated from sputtered amorphous silicon films. IEEE Trans Electron Devices, 2000, 47(1):207 [8] WangWen,MengZhi guo, Low Temperature Metal Induced Laterally Crystallized Polycrystallline S-ilicon Material and DeviceTechnology,2003,5:87
同類課題研究水平概述
- 無